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acta de conferencia
"Simulaciones numéricas de celdas de silicio cristalino para uso espacial"
S.M. Yang y J. Plá
Selección de los mejores trabajos expuestos en la "XXIX Reunión de Trabajo de la ASADES", Buenos Aires, Argentina, Octubre 23-27, 2006.
Avances en Energías Renovables y Medio Ambiente 10 (2006) 04.67-73
Abstract
Se efectuaron simulaciones numéricas de celdas de silicio para uso espacial con estructura n+pp+ y n+p, espesores entre 100 µm y 300 µm, con y sin pasivación de la cara posterior (c.p.), resistividades de la base entre 1 Ωcm y 10 Ωcm, y en condiciones BOL (beginning of life) y EOL (end of life). Se analizó la influencia de la estructura de la celda, el espesor de la misma y el daño por radiación sobre la respuesta eléctrica de los dispositivos. Se encontró, entre otros resultados, que la pasivación es más efectiva que el BSF (back surface field) para combatir la recombinación superficial; además, una vez pasivada la c.p., el BSF introduce sólo una pequeña mejora. Asimismo, se observó el aumento de la resistencia al daño por radiación con la resistividad de la base ρb, en paralelo a una cierta disminución de la eficiencia con ρb-.
DIVISION ENERGIA SOLAR
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