Se presentan los primeros desarrollos en la elaboración y caracterización eléctrica de diodos de paso de silicio para uso espacial. Se elaboraron diodos con dos tipos de juntura: n⁺p y n⁺pp⁺. Se detalla el proceso de fabricación de este dispositivo, que requiere el uso de técnicas similares a las empleadas en la elaboración de celdas fotovoltaicas: oxidación, difusión de dopantes, fotolitografía y deposición de contactos metálicos. Si bien ésta tecnología es bien conocida y se puede encontrar en los libros de texto, éstos dispositivos son los primeros que se fabrican íntegramente en el país. Se caracterizaron eléctricamente mediante la medición de la curva corriente-tensión (I-V) sin control de temperatura. Asimismo, para estudiar el funcionamiento del dispositivo, tanto desde el punto de vista eléctrico como electrónico, se presentan simulaciones teóricas con los programas PC1D5 y Simusol.