Dentro de las distintas alternativas para la fabricación de dispositivos fotovoltaicos se destacan sobre el resto dos tipos de materiales semiconductores cristalinos. Uno de ellos es el Si, de reconocido uso en aplicaciones terrestres de la conversión fotovoltaica (FV), mientras que en los últimos años los materiales III-V como base para la fabricación de celdas solares multijuntura han ganado un lugar más que destacado en aplicaciones espaciales. Considerando el consecuente interés que despiertan este tipo de dispositivos, se estableció una colaboración científica entre el GES de la CNEA y el Instituto IMEM-CNR de Parma, Italia, a fin de realizar estudios dirigidos a una mejor comprensión del funcionamiento y de las técnicas de fabricación y caracterización asociadas a las celdas solares basadas en materiales semiconductores III-V. Se presentan entonces las actividades realizadas hasta el momento en la deposición de películas semiconductoras por MOVPE, la optimización y simulación numérica de dispositivos, y finalmente la caracterización electrónica de los mismos.