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acta de conferencia
"Elaboración y caracterización de capacitores MOS para medición in situ durante el estudio de daño por radiación"
Ma.L. Ibarra, M.P. Barrera y M. Alurralde
Actas del "14º Congreso Internacional de Metalurgia y Materiales" (SAM-CONAMET 2014) y "13º Simposio MATERIA" (XIII IBEROMAT), Estación Belgrano, Santa Fe, Argentina, Octubre 21-24, 2014.
Memorias del 14° SAM-CONAMET CD-ROM (2014)
ISBN: 978-987-692-043-8 (cdrom)
Abstract
La radiación presente en el ambiente espacial está compuesta por una variedad de partículas con energías que van desde los keV hasta los GeV. Estas partículas están atrapadas en el campo magnético de la Tierra o pasando a través del sistema solar. Parte de los circuitos de la electrónica satelital están basados en dispositivos de silicio que sufren degradación debido a la radiación. Para estudiar el efecto de los iones y otras partículas sobre estos dispositivos se diseñaron y fabricaron capacitores MOS (Metal Óxido Semiconductor) simples diseñados ad hoc para ser degradados en condiciones controladas. Dichos dispositivos poseen una estructura de capas que consiste en un semiconductor, sobre el cual se le crece un óxido de un espesor determinado, y se deposita una capa de metal. Como sustrato se utilizaron obleas de silicio comerciales tipo p con pulido espejo. El óxido se creció térmicamente mediante una oxidación seca en ambiente de oxígeno ultrapuro en un horno a alta temperatura. El patrón de la figura de los capacitores se obtuvo mediante la técnica de fotolitografía que consiste en la transferencia del diseño presente en una máscara fotográfica a una capa de material fotosensible. La capa de aluminio se depositó mediante evaporación térmica en cámara de vacío y se realizó un recocido en ambiente de forming gas. Se realizaron ensayos de daño por radiación de los dispositivos utilizando el acelerador de iones pesados de tipo tándem Van der Graff (TANDAR). Se implementó la caracterización electrónica in situ de los capacitores durante los experimentos de daño por radiación mediante la obtención de curvas C-V (Capacidad-Tensión) y se calcularon los parámetros característicos.
DEPARTAMENTO ENERGIA SOLAR
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