Se estudió la degradación de los parámetros eléctricos y electrónicos de celdas solares de silicio cristalino bajo los efectos de la irradiación con protones de 10 MeV y fluencias entre 10⁸ y 10¹³ p/cm², utilizando un haz externo del acelerador TANDAR de la CNEA. Asimismo, se realizaron simulaciones teóricas con el fin de verificar la relación entre las características eléctricas de las celdas (corriente de cortocircuito, tensión a circuito abierto y factor de forma) y la vida media de los portadores minoritarios en la base, la cual se ve afectada directamente en este tipo de ensayo. Se llevaron a cabo dos experimentos que permitieron medir in situ la curva característica corriente-tensión entre irradiaciones de las celdas estudiadas, las cuales fueron elaboradas en el Grupo Energía Solar de la CNEA.