Ciclo de Seminarios 2012
2012 7 AGO
Martes 7 de Agosto
15:00 hs. - Auditorio Emma Pérez Ferreira
Edificio TANDAR
"Memorias Resistivas No Volátiles: de lo básico... a lo aplicado!"
Dr. Pablo Levy
(*)
Gerencia Investigación y Aplicaciones - CNEA
CONICET
RESUMEN:
El fenómeno de conmutación resistiva consiste en el cambio del valor de resistencia
de un material o una interfaz debido a la aplicación de un estímulo eléctrico.
Esta operación consiste en la escritura de un bit, el que debe ser leído
posteriormente, para dar lugar a un dispositivo con memoria. La tecnología ReRAM (Resistive
Random Access Memory) ha emergido con fuerza debido a sus atractivas prestaciones: velocidades de
conmutación en la escala de los nanosegundos, muy bajo consumo en operación, no
volatilidad, y alta potencialidad de miniaturización. Desde hace unos años, un grupo
de investigadores de CNEA - INTI - UBA - UNSAM - CONICET trabajan el área de materiales
(óxidos, en particular) con posibles aplicaciones en memorias del tipo ReRAM, siguiendo un
enfoque combinado teórico-experimental. En esta charla se describirá el efecto RS, y
se ampliará sobre algunos experimentos que se han realizado en los últimos
años, se describirá el nivel de entendimiento que tenemos del efecto de
conmutación en óxidos de la familia de las manganitas y en TiO2, y se
contará el estado de avance del Proyecto MeMO, Mecanismos de Memoria en Óxidos.
* Licenciado y Doctor en Ciencias Físicas de la FCEyN de la Universidad de Buenos Aires. Trabaja como Investigador principal del CONICET en el Depto de Materia Condensada, GIyA, GAIyANN, C.A.C. Líder de los proyectos "Manganitas" y "Mecanismos de Memoria en Óxidos" y Co-Responsable BaPIn "Nanociencia y Nanotecnología" en CNEA.