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acta de conferencia
"Estudio de la Dinámica de Vacancias en Si"
J.R. Fernández, N. Smetniansky De Grande y M. Alurralde
Actas del "9° Congreso Internacional de Metalurgia y Materiales SAM-CONAMET 2009: Primeras Jornadas Internacionales de Materiales Nucleares", Buenos Aires, Argentina, Octubre 19-23, 2009.
Actas SAM-CONAMET 2009, Volumen III, compilado por José Ovejero García, 1ra ed., Buenos Aires, Comisión Nacional de Energía Atómica-CNEA - CD-ROM (2009) 2127-2132
ISBN: 978-987-1323-13-5
Abstract
Los componentes electrónicos de los satélites artificiales, en base a Si, están sometidos en el espacio a una irradiación de protones y electrones y a temperaturas en el rango ±100°C. Esta radiación genera intersticiales y vacancias. Los aglomerados de estos defectos afectan las propiedades electrónicas de los semiconductores. Su evolución y la distribución de tamaños determinan la vida útil de los componentes electrónicos en servicio. En este trabajo se desarrolla un modelo de interacción entre vacancias y se estudia la evolución de sus aglomerados. Para realizar dicho estudio se utiliza la técnica de Monte Carlo y se analiza la evolución temporal de la distribución de tamaños de aglomerados en función de la temperatura y de la densidad de vacancias.
DIVISION ENERGIA SOLAR
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