Se presentan los resultados correspondientes a experiencias de daño por radiación con protones de 10 MeV en celdas solares de distintos materiales. Se utilizaron celdas de doble juntura de GaAs sobre sustrato de Ge, heterojunturas de silicio amorfo o silicio cristalino epitaxial sobre silicio cristalino, y celdas de silicio cristalino con juntura obtenida por difusión. En el caso de las celdas de GaAs se irradiaron dispositivos con y sin vidrio protector con dosis de hasta 10¹¹ p/cm², equivalente a las que recibiría en la misión SAOCOM, mientras que en el caso de las celdas heterojuntura se utilizaron dosis de hasta 10¹² p/cm², y en aquellas de silicio cristalino se consideraron dosis intermedias que posibilitaron la medición de la vida media efectiva de los portadores minoritarios del dispositivo.