El material ferromagnético MnAs crecido sobre el semiconductor GaAs está siendo intensamente estudiado debido a sus potenciales aplicaciones en espintrónica. La característica que diferencia a una juntura MnAs/GaAs del resto de los materiales ferromagnéticos integrados a semiconductores es su excelente interfase, libre de fases precipitadas y con excelente unión química. Teniendo en cuenta una aplicación computacional, es necesario examinar cómo la reducción de tamaños afecta las propiedades físicas de este material híbrido.
Hemos optimizado los procesos de micro y nanoestructuración de films de MnAs crecidos sobre GaAs. Esto se llevó a cavo combinando litografía óptica y litografía electrónica con grabado iónico. También se realizaron caracterizaciones topográficas, magnéticas y estructurales del material. Las caracterizaciones topográficas se realizaron mediante microscopía de fuerza atómica. Las caracterizaciones magnéticas se realizaron mediante microscopía de fuerza magnética (MFM) y mediante mediciones magnetométricas con un magnetómetro de muestra vibrante (VSM) y un magnetómetro SQUID. Los resultados de MFM además de la servir para la caracterización contribuyeron al análisis de la configuración de dominios magnéticos en los films. Con el VSM se caracterizaron los films, mientras que con el magnetómetro SQUID uno de los arreglos micrométricos. La caracterización estructural se realizó mediante difracción de rayos X.